沈阳拓荆科技有限公司成立于2010年4月，是由高层次外国专家团队和中科院所属企业共同发起成立的国家高新技术企业。2016年、2017年连续两年获评 中国半导体设备五强企业 ，吸引了国家集成电路产业投资基金的战略投资。拓荆公司一直致力于集成电路高端装备创新，两次承担国家科技重大专项。 十一五 重大专项项目产品——12英寸PECVD设备各项工艺指标达到国际一流水平，产品已经实现量产。 十三五 重大专项项目重点研发应用于新一代闪存领域3D NAND PECVD工艺技术及设备，为国家大存储器项目提供专业配套。公司研发的12英寸ALD原子层薄膜沉积设备，在半导体、医疗器材、新能源等领域拥有广泛的应用前景。公司技术产品打破了国际垄断，填补了国内空白，实现了我国在半导体薄膜制造领域技术的快速发展。未来拓荆将努力建成世界一流的半导体薄膜设备公司,为世界半导体产业发展做出贡献。
